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中国工程院院士丁荣军:第三代半导体技术未来十年复合增速将超20%

2023-06-29 11:34:48

每经AI快讯,6月29日,在浙江瑞安召开的2023国际新能源智能网联汽车创新生态大会上,中国工程院院士丁荣军表示,以碳化硅为代表的第三代半导体技术(包括Si-IGBT与SiC二极管相结合的技术)已经开始获得应用,并具有很大的性能及市场潜力,将在未来十年获得高达年复合20%以上的快速增长。(上证报)

责编 张喜威

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