铠侠新建闪存工厂，与闪迪计划日本投资超310亿美元

每经编辑｜肖芮冬    

截至10时36分，市场震荡活跃，同指数费率最低标的科创芯片ETF（588290）跟踪指数下跌0.75%。成分股方面，纳芯微上涨4.38%，寒武纪上涨2.77%，海光信息上涨2.17%。

消息面上，铠侠集团宣布将在日本北上工厂厂区内建设第三座芯片工厂Fab3，预计2029财年投入运营，量产先进3D闪存BiCS FLASH，以满足AI驱动的数据中心存储需求。同日，铠侠与闪迪宣布预计将在日本进行总额超310亿美元的重大投资，具体金额取决于日本政府支持。两家公司已将合资协议延长至2034年底。

分析师认为，铠侠此举表明其已获得长期合同保障，市场需求强劲。不过，市场对存储芯片行业巨额投资后可能出现的供应过剩仍存担忧，铠侠股价自6月高点以来已大幅回落。

相关研究机构表示，AI驱动下电子行业需求旺盛，供给端产能布局缓慢，高景气度有望持续。存储价格过高压制手机消费电子需求，当前估值处于历史高位。AI基建高景气或持续，半导体国产化加速发展，但估值增长过快，短期需警惕利好兑现调整风险，建议逢低关注AI与国产化结构性机会。（风险提示：以上信息仅供参考，不构成投资建议。入市有风险，投资需谨慎。）