SK海力士下一代HBM引入英特尔EMIB技术，探索混合键合突破16层堆叠

每经编辑｜肖芮冬    

截至9:40，同指数费率最低标的科创芯片ETF（588290）跟踪指数下跌1.57%。相关个股中，荆拓科技上涨3.53%，富创精密上涨1.2%，中微公司上涨1.19%。

消息面上，SK海力士正在为其下一代HBM解决方案引入包括英特尔EMIB在内的先进封装技术，并计划最终迈入3D封装时代。在2026年的Hot Chips大会上，SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee发表了题为“高带宽内存的先进封装”的报告，详细阐述了公司将如何利用先进封装技术加速其HBM产品路线图，目前SK海力士正在探索混合键合（Hybrid Bonding）等方法，以突破16层堆叠的限制，未来，SK海力士还计划通过增加TSV数量、提高逻辑工艺集成的IO速度，以及优化电源分配网络（PDN）来解决功耗挑战。

相关研究机构表示，在华为韬定律推动下，芯片产业通过技术创新有望实现性能突破，为先进封装企业带来机遇。AI算力建设方兴未艾，带动PCB、存储等高景气赛道需求旺盛，形成产业链协同发展格局，先进封装、AI芯片及高带宽内存领域有望实现技术突破。（风险提示：以上信息仅供参考，不构成投资建议。入市有风险，投资需谨慎。）