SK海力士豪掷383亿美元新建两大晶圆厂，分别布局HBM/DRAM与NAND

每经编辑｜赵云    

截至8月10日上午收盘，市场震荡调整，支持T+0、聚焦港股硬科技的——港股通信息技术ETF（513240）下跌1.07%，同指数费率最低标的——科创芯片ETF（588290）下跌1.49%。成分股中，盛美上海上涨9.03%，中微公司上涨3.88%，金山软件上涨3.49%，云知声上涨2.7%。

消息面上，8月7日，SK海力士宣布为应对AI时代存储需求的结构性增长，决定投资约54.35万亿韩元（约383亿美元）新建晶圆厂。其中，在龙仁半导体产业园投资35.2万亿韩元建设Y2工厂，作为DRAM生产基地，计划明年7月开工，2029年6月启用，生产HBM及下一代DRAM产品；在清州投资19.1万亿韩元建设M17工厂，作为NAND闪存基地，计划明年2月动工，2028年12月启用首个洁净室。

公司认为，内存正从普通组件转变为决定AI性能的核心基础设施，仅靠技术竞争力已不足，必须在客户需要时精准保供。此次投资标志着公司去年6月发布的中长期投资战略正式启动，龙仁园区四座工厂的完工目标已提前至2033年，清州M17将与现有产线高效联动，公司计划依据中长期需求趋势同步扩大实际产能，以巩固半导体生态竞争力并带动地方经济。

相关研究机构表示，AI训练、推理及数据中心建设持续拉动HBM、服务器DRAM、企业级SSD等高端存储需求，存储原厂产能向高附加值产品倾斜，带动DRAM、NAND及利基型存储供需偏紧。随着摩尔定律放缓，单纯依靠制程微缩提升芯片性能的难度加大，Chiplet、2.5D/3D封装、TSV、混合键合等先进封装技术成为提升算力密度、带宽和能效的重要路径。（风险提示：以上信息仅供参考，不构成投资建议。入市有风险，投资需谨慎。）