突破30美元！基准NAND价格上行，存储涨价趋势持续

每经编辑｜肖芮冬    

截至8月3日收盘，同指数费率最低标的——科创芯片ETF（588290）下跌6.90%，近5日资金净流入达2.1亿元。支持T+0、聚焦港股硬科技的——港股通信息技术ETF（513240）上涨0.31%。成分股中，联想控股上涨10.56%，仕佳光子上涨7.47%，源杰科技上涨5.03%。

消息面上，行业机构DRAMeXchange数据显示，受益AI需求拉动，7月存储芯片价格持续走高，基准DRAM合约价环比上涨14.3%创历史新高，NAND基准产品价格突破30美元；其中单层NAND产品售价环比大涨35%，主要由于存储厂商优先倾斜产能生产高端3D NAND，单层产品供给收缩带动报价上行。

单层NAND属于传统闪存芯片，对比多层堆叠的3D NAND，存储密度更低。企业当前重点扩产适配AI算力的高端3D NAND，削减单层NAND产能，供需收紧推动单层NAND价格显著回暖，利好存储产业链公司盈利修复。

相关研究机构表示，AI算力与存力建设及半导体自主可控成为基金机构重点关注方向，前者推动PCB、存储等产业链业绩向好，厂商积极资本开支将提振上游设备及材料需求；后者受益于国内晶圆厂加速导入国产设备及材料，半导体厂商市场份额有望提升。（风险提示：以上信息仅供参考，不构成投资建议。入市有风险，投资需谨慎。）