智能手机内存二季度价格环比涨超80%！科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数上一交易日收盘大涨近5%，近30日净流入近20亿元

每经编辑｜肖芮冬    

7月31日，两市高开震荡，芯片设计概念上涨。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数收盘涨4.93%，成交额达2.43亿元；换手率达12.21%。成分股中，杰华特、帝奥微、芯原股份、盛科通信-U、芯朋微涨超5%，裕太微-U、国芯科技、睿创微纳等多股跟涨。

值得关注的是，Wind显示，科创芯片设计ETF天弘（589070）近3个交易日（2026年7月28日—2026年7月30日）实现连续“吸金”，最近30个交易日累计获资金净流入19.97亿元。截至2026年7月30日，该基金最新规模为18.41亿元，为同标的第一。

科创芯片设计ETF天弘（589070）具备20%涨跌幅的弹性，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比高达96.1%，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，成长空间可期。该ETF还配备了2只场外联接基金（A类：027574；C类：027575）。

消息面上，据《21世纪经济报道》，智能手机内存Q2价格环比涨超80%，DRAM已超越SoC成为旗舰机最贵单一元器件。

东吴证券指出，在AI算力需求爆发和国产替代共振下，芯片设计板块盈利弹性突出，尽管当前估值偏高，但EPS持续增长有望逐步消化估值风险，是把握硬科技结构性行情的关键配置工具。

风险提示：本文观点不构成任何投资建议，市场有风险，投资需谨慎，指数基金存在跟踪误差，请投资人独立判断和决策。数据来源Wind。