三星推进2纳米HBM5研发，高带宽存储迈向新阶段｜人工智能早参

每经编辑｜肖芮冬    

截至7月27日收盘，市场震荡反弹，三大指数集体上扬。此外，长鑫科技上市首日创下多项记录，股价涨465.82%，换手率超66%。人形机器人含量近75%的机器人ETF（159039）上涨3.44%，创业板人工智能ETF（159279）上涨2.60%，同指数费率最低标的——科创芯片ETF（588290）上涨1.63%，科创创业人工智能ETF（588470）上涨1.24%。相关个股中，绿的谐波上涨5.49%、协创数据上涨5.46%、寒武纪上涨1.31%、澜起科技下跌2.66%。

与此同时，港股通恒生科技ETF（520840）上涨2.38%，支持T+0、聚焦港股硬科技的——港股通信息技术ETF（513240）上涨1.71%。相关个股中，小米集团-W上涨7.34%、腾讯控股上涨1.93%。

消息面上，三星电子27日发布对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访。具子铉表示，预计下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E快50%以上，“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）”。

具子铉称，三星电子将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，引领半导体生态系统进一步发展壮大。

相关研究机构表示，先进封装、晶圆制造、设备材料、芯片设计与算力平台以及EDA和测试测量工具链等环节将因“时间缩微”这一新主线而受益，相关产业链各环节协同发展，推动技术进步与产业升级。（风险提示：以上信息仅供参考，不构成投资建议。入市有风险，投资需谨慎。）