科创芯片设计指数上周巨震，长鑫科技IPO对芯片行情有何影响，科创芯片设计ETF天弘（589070）基金经理洪明华解读上周行情

每经编辑｜赵云    

上周，科创芯片设计指数全周微跌0.41%，但盘中波动极为剧烈，周四周五两日振幅均超过7%。科创芯片设计ETF天弘（589070）基金经理洪明华认为板块波动的核心逻辑可归纳为两大因素：长鑫科技IPO催化与获利盘集中止盈。

一、长鑫科技IPO催化短期情绪

7月8日晚，长鑫科技在上交所披露上市招股意向书，明确将于7月13日启动初步询价，7月16日进行新股申购，预计7月底前有望正式挂牌交易。作为国内DRAM存储领域的绝对龙头企业，长鑫科技此番上市具有多重行业意义：295亿元的拟募资规模刷新年内A股IPO纪录，填补了科创板在存储芯片高端标的上的稀缺性，有效提振了国产芯片产业链的整体估值中枢。公司2026年上半年预计实现营收超1100亿元，归母净利润突破500亿元，强劲的业绩表现进一步印证了半导体行业的高景气度，并带动存储板块整体走强。此次发行亦是国家层面助力关键核心技术企业融资的标志性事件，有望为国产存储产业链上下游的协同创新与产能扩张注入长期的资本动能。

回顾2020年中芯国际上市前后的半导体板块行情，或可为理解当前长鑫科技催化下的市场走势提供一定参照。中芯国际上市前夕，科创芯片设计指数大致经历了三个阶段：预热期（6月23日至7月3日），在政策利好与发行进度持续推进下，指数呈震荡慢涨格局，波动温和，资金有序入场；主升期（7月6日至7月13日），伴随发行价格确定、申购开启及上市日期官宣等多重利好密集共振，指数在6个交易日内累计上涨21.09%，成交量能持续放大；兑现杀跌期（7月14日至15日），指数触及阶段高点后掉头下行，获利盘集中涌出，市场由此进入短期调整，前期涨幅快速回吐。7月16日，中芯国际正式登陆科创板。尽管长鑫科技上市未必会完全复制中芯国际的行情轨迹，但上述历史经验对判断当前市场情绪与资金节奏仍具参考价值。

二、获利盘涌出：前期涨幅过大，短期承压加剧

周五（7月10日），指数再度大幅下跌6.50%，基本面未现重大变化，调整主因仍在于获利盘的集中止盈。科创芯片设计指数自6月9日启动本轮行情以来截至6月30日，15个交易日累计涨幅达43.09%，创出历史新高并领跑A股科技指数。周四的大涨进一步为短期资金提供了理想的减持窗口。在板块短期累计巨大涨幅的背景下，长期布局的获利投资者逐步兑现收益，叠加前期快速涌入的短期资金集中了结，共同削弱了上行动力，放大了调整幅度。

综合来看，上周科创芯片设计指数的大幅波动，本质上是长鑫科技IPO催化下的情绪脉冲与前期巨大涨幅所积累的获利盘集中释放共同作用的结果。我们认为，半导体行业高景气度的基本面并未发生逆转，AI算力尤其是推理侧需求仍具备坚实支撑，亦未见重大负面事件导致景气拐头向下。短期波动不改中长期向好逻辑，市场在消化获利筹码后，仍有望回归基本面驱动的轨道。

风险提示：本文观点不构成任何投资建议，请投资人独立判断和决策。指数基金存在跟踪误差。