我国成功研制出三维多层片上电容，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中大涨近5%，换手率超8%交投活跃

盘面上，两市高开高走，芯片设计概念上涨。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中涨4.85%，成交额达4052.29万元；换手率达8.61%。成分股中，普冉股份、中科蓝讯、盛科通信-U、杰华特、天德钰涨超5%，希荻微、艾为电子、乐鑫科技等多股跟涨。

值得关注的是，Wind显示，科创芯片设计ETF天弘（589070）近3个交易日（2026年6月10日—2026年6月12日）实现连续“吸金”，最近十个交易日累计获资金净流入9600.39万元。截至2026年6月12日，该基金最新规模为4.57亿元，年初至今规模增长达4.57亿元，为同标的第一。

科创芯片设计ETF天弘（589070）紧密跟踪科创芯片设计指数，该指数近一年涨幅达102.61%，其行业配置主要包括半导体（95.6%）、军工电子Ⅱ（3.74%）、软件开发（0.66%）等，前五大成分股为澜起科技、寒武纪、海光信息、佰维存储、芯原股份。该ETF还配备了2只场外联接基金（A类：027574；C类：027575）。

消息面上，据湖北江城实验室消息，我国成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法，目前相关技术已进入试产阶段。

中信建投认为，AI算力需求爆发正推动芯片设计向定制化与协同创新演进。设计环节需与制造、封装深度协同，尤其关注先进制程与先进封装结合，以应对高性能计算芯片的复杂需求。随着2027~2028年产能逐步释放，具备全栈技术整合能力的芯片设计企业将迎来新一轮增长机遇。