韩国SK海力士、三星电子双双刷新历史新高！科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数昨日大涨超3%，换手率超25%交投活跃

5月13日，两市低开高走，芯片设计概念上涨。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数收盘涨3.15%，成交额达1.13亿元；换手率达25.43%。成分股中，普冉股份、澜起科技、中微半导、佰维存储、恒玄科技涨超5%，英集芯、乐鑫科技、寒武纪等多股跟涨。

科创芯片设计ETF天弘（589070）累计获资金净流入1235.80万元。截至2026年05月12日，该基金最新规模为4.47亿元，年初至今规模增长达4.47亿元，为同标的第一。

科创芯片设计ETF天弘（589070）紧密跟踪科创芯片设计指数，该指数近一年涨幅达113.68%，其行业配置主要包括半导体（92.96%）、军工电子Ⅱ（4.54%）、软件开发（0.63%）等，前五大成分股为澜起科技、海光信息、寒武纪、芯原股份、佰维存储。

消息面上，据SIA数据，2026年3月全球半导体销售额达995亿美元，同比增长79.2%；韩国SK海力士、三星电子股价年内分别累涨超190%、130%，双双刷新历史新高。此外，AMD一季度数据中心业务营收同比增长57%，北美四大云厂商一季度资本支出合计约1288亿美元，同比大增81%。

申万宏源证券认为，芯片设计已进入从技术突破到商业落地的关键阶段，驱动力来自云端大模型与边缘AI终端放量，具备全栈能力与场景定义优势的企业将持续胜出。