新三板创新层公司亚成微新增发明专利信息授权：“具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法”

每经讯，据启信宝，新三板创新层公司亚成微（430552）新增专利信息，专利权人为亚成微，发明人是徐永年、杨世红。专利授权日为2022年2月22日，专利名称为“具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法”，专利类型为中国发明专利，专利申请号为CN202111373046.4。

该专利摘要显示：本发明公开了一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其中，N+衬底包括MOSFET漏极和二极管阴极，N‑外延层层叠于N+衬底的上表面，N‑外延层上表面设有MOSFET的栅极沟槽、多个MOSFET隔离沟槽和至少一个二极管隔离沟槽，栅氧化层生成于N‑外延层、栅极沟槽、隔离沟槽以及二极管隔离沟槽的表面，MOSFET源极在MOSFET P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成，至少一个二极管阳极在二极管P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成，至少一个二极管阳极与MOSFET源极的距离小于第一阈值且大于零，所述第一阈值由所述MOSFET结构的耐压等级以及二极管的耐压等级决定。

(记者 汤辉)

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