新三板创新层公司亚成微新增发明专利信息授权：“具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法”

每经讯，据启信宝，新三板创新层公司亚成微（430552）新增专利信息，专利权人为亚成微，发明人是徐永年、杨世红。专利授权日为2022年2月22日，专利名称为“具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法”，专利类型为中国发明专利，专利申请号为CN202111372981.9。

该专利摘要显示：本发明公开了具有温度检测功能的MOSFET结构及其方法，其中，N+衬底包括MOSFET漏极和二极管阴极，N‑外延层层叠于N+衬底的上表面，N‑外延层内经由离子注入形成P型环，P型环包括MOSFET P型耐压环和二极管P型耐压环，栅极沟槽设在MOSFET有源区对应的N‑外延层，栅极沟槽和N‑外延层上均设有栅氧化层，栅氧化层上淀积多晶硅以在栅极沟槽中形成多晶硅栅极，中间介质层层叠于栅氧化层及多晶硅栅极上，此外还蚀刻出多个接触孔，MOSFET源极在MOSFET P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成，二极管阳极在二极管P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成。

(记者 周宇翔)

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