东芯股份：公司在NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有自主研发能力与核心技术

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：董秘你好，请问公司现有DARM产品是DDR3，正在研发25nmLPDDR4x，预计什么时候能推出，另外ipo计划募资7.5亿，实际募资33.37亿，超募25亿资金，公司对这些资金有什么计划吗，大基金和华为间接参股公司，对公司的技术研发和市场推广有没有帮助

东芯股份（688110.SH）12月14日在投资者互动平台表示，本公司目前研发的25nm LPDDR4x的最终发布时间，请关注公司后续的公告。公司将根据发展战略和生产经营计划，严格按照监管要求，确定超募资金的使用，并在履行相关审议程序后及时披露。公司多年来坚持自主研发和技术投入，在NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术。战略投资者的进入有利于进一步优化股东结构，提升公司治理水平，促进公司高质量发展。

(记者 王晓波)

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