英唐智控：IGBT功率半导体器件兼具MOSFET的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，是上海芯石目前重点的研发产品之一

每日经济新闻 2021-09-29 18:30:31

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：你好，董秘公司的第三代半导体IGBT现咋样了？公司的IGBT的应用领域？谢谢

英唐智控（300131.SZ）9月29日在投资者互动平台表示，IGBT功率半导体器件兼具MOSFET的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，是上海芯石目前重点的研发产品之一。目前正处在样品的工程验证阶段。

(记者蔡鼎)

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