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半年翻倍 内存条掀起涨价潮

人民网 2017-10-09 10:01:00

DRAM价格的上涨直接导致内存成本大幅上升,半年间,内存条涨幅超六成。

2017年,DRAM内存涨价有目共睹。包括PC内存条零售价、智能手机内存成本,均较2016年有较大涨幅。根据IC Insights的最新报告,过去的12个月,DRAM已经从2.45美元涨到5.16美元,涨幅达到惊人的111%,而且它在年底之前预计还会出现高达40%的增长。

DRAM价格的上涨直接导致内存成本大幅上升,其售卖价格也以惊人的速度在上涨。在京东商城,影驰GAMER DDR4-2400 8G内存条从今年4月份的389元上涨到如今的629元,涨幅超六成。另外一款GAMERⅢ极光RGB内存更是在5天时间内一路狂飙了100元。金士顿DDR424008G台式机内存在半年内价格从400元左右涨至800元左右。而放眼整个存储市场,各大品牌的内存价格都无一例外在飞涨。

业内专家表示,过去内存的使用主要以PC为主,应用市场较为单一。如今除了PC,智能手机、企业服务器的迅猛发展对内存的需求愈来愈大,而DRAM正在进行技术世代交替,产能跟不上。另外,内存使用的DRAM主要由少数几家公司所提供,现阶段内存厂商仍以提高新制程比例增加产出为主,并未大幅扩张新产能。

据了解,目前,DRAM内存市场以三星电子、美光科技、SK海力士三大巨头竞争为主,根据Trendforce的数据,截至2016年三季度三大厂DRAM市场份额总和约占全球市场94%。

其中,三星电子、美光科技成为这场涨价潮最大的受益者。7月7日,三星电子公布的W2业绩报告显示,营业利润达到14万亿韩元(约合121亿美元),同比增长72%,创历史新高。而美光科技发布的第四财季业绩系显示,营收创下61.4亿美元,比同期增长91%。

涨价背后也和三大厂供给收缩有关。当下,半导体产业正经历一场技术迭代升级,即2DNANDFlash(二维闪存)转移至3DNANDFlash(三维闪存),三大厂纷纷进入闪存迭代升级的产线建设同时,对于DRAM的开发和资本投入方面相对保守。上述分析师表示,预计到2018年,随着3DNANDFlash产能和良率不断提升以及新增产能陆续投产,存储器供应紧张局面有望缓解。

(来源:人民网)

责编 梁秋月

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内存翻倍涨价

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