台基股份:公司跟踪和研发以SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术,尚未形成产品

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每经AI快讯,台基股份(300046.SZ)6月17日在投资者互动平台表示,公司跟踪和研发以SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术,尚未形成产品。

(记者 毕陆名)

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