10月14日，第三届全球IC企业家大会，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明发表开幕演讲。图片来源：每经记者 朱成祥 摄
在10月14日第三届全球IC企业家大会上，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明发表开幕演讲，其表示后摩尔定律时代芯片制造存三大挑战，即基础挑战、核心挑战和终极挑战。
其中，基础挑战主要指芯片图形工艺，包括光刻工艺和刻蚀工艺；核心挑战指的是新材料和新工艺；而终极挑战则是提升良率。
每日经济新闻
10月14日，第三届全球IC企业家大会，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明发表开幕演讲。图片来源：每经记者 朱成祥 摄
在10月14日第三届全球IC企业家大会上，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明发表开幕演讲，其表示后摩尔定律时代芯片制造存三大挑战，即基础挑战、核心挑战和终极挑战。
其中，基础挑战主要指芯片图形工艺，包括光刻工艺和刻蚀工艺；核心挑战指的是新材料和新工艺；而终极挑战则是提升良率。
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