三星推进2纳米HBM5研发,高带宽存储迈向新阶段|人工智能早参

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截至7月27日收盘,市场震荡反弹,三大指数集体上扬。此外,长鑫科技上市首日创下多项记录,股价涨465.82%,换手率超66%。人形机器人含量近75%的机器人ETF(159039)上涨3.44%,创业板人工智能ETF(159279)上涨2.60%,同指数费率最低标的——科创芯片ETF(588290)上涨1.63%,科创创业人工智能ETF(588470)上涨1.24%。相关个股中,绿的谐波上涨5.49%、协创数据上涨5.46%、寒武纪上涨1.31%、澜起科技下跌2.66%。

与此同时,港股通恒生科技ETF(520840)上涨2.38%,支持T+0、聚焦港股硬科技的——港股通信息技术ETF(513240)上涨1.71%。相关个股中,小米集团-W上涨7.34%、腾讯控股上涨1.93%。

消息面上,三星电子27日发布对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访。具子铉表示,预计下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E快50%以上,“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺,并实现更高集成度的硅通孔(TSV)”。

具子铉称,三星电子将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力,提前在HBM5中引入2纳米工艺,并拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作,引领半导体生态系统进一步发展壮大。

相关研究机构表示,先进封装、晶圆制造、设备材料、芯片设计与算力平台以及EDA和测试测量工具链等环节将因“时间缩微”这一新主线而受益,相关产业链各环节协同发展,推动技术进步与产业升级。(风险提示:以上信息仅供参考,不构成投资建议。入市有风险,投资需谨慎。)


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